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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	5.4 A, 8 A
Rds On-漏源导通电阻	22 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	7 nC, 12.5 nC
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	1.6 W, 2 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.65 mm
长度	5 mm
系列	STS8C5H30L
晶体管类型	1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET
类型	MOSFET
宽度	4 mm
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	8.5 S, 10 S
下降时间	8 ns, 35 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	14.5 ns, 35 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	23 ns, 125 ns
典型接通延迟时间	12 ns, 25 ns
单位重量	85 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIHP24N65EF-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB	1,000:¥22.5887 3,000:¥21.4361	参考库存:42402
ZXMN10A08E6TC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N-Chnl UMOS	10,000:¥2.0566	参考库存:102065
DMT3020LDV-7	Diodes Inc. / Pericom	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K	1:¥3.9211 10:¥3.2883 100:¥2.0001 1,000:¥1.5481 2,000:¥1.3221	参考库存:42409
SSM3K121TU,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Small Signal Mosfet	1:¥3.7629 10:¥2.7798 100:¥1.7515 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:42414
NVMFS4C310NWFT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRENCH 30V NCH	1:¥6.3054 10:¥5.2545 100:¥3.39 1,000:¥2.712 1,500:¥2.2939	参考库存:42419