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晶体管
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FDP150N10

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数量单价合计
1
¥16.6788
16.6788
10
¥14.1363
141.363
100
¥11.30
1130
500
¥9.9101
4955.05
1,000
¥8.2264
8226.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
57 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP150N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
83 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
164 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
86 ns
典型接通延迟时间
47 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT100TDU60PG
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥912.9383
参考库存:41899
CMPF4391 TR
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1:¥7.6049
10:¥6.2602
100:¥5.2093
500:¥4.0228
3,000:¥3.2205
9,000:查看
参考库存:156794
2N3442
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暂无价格
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥646.5295
参考库存:41916

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