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HGT1S10N120BNST参考图片

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HGT1S10N120BNST

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1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥15.4471
1544.71
250
¥14.6787
3669.675
800
¥11.0627
8850.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGT1S10N120BNS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
35 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3506L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥170.8899
250:¥156.8327
500:¥149.2956
参考库存:51869
CGH60060D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:51874
RN1401T5LFT
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双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
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2SK3845(Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm
暂无价格
参考库存:51884
JANTXV2N3500
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥152.4483
250:¥139.8488
500:¥133.1592
参考库存:51889

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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