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晶体管
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BD137G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 60V 12.5W NPN
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
2,500
¥1.4012
3503
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD137
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
封装
Bulk
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
454 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6274
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥676.4971
2:¥655.5243
5:¥655.3661
10:¥634.2351
参考库存:51045
BC858CE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:51050
FF600R12IP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥3,089.9624
5:¥2,903.7045
参考库存:7653
BC847AW RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:51057
IPB180N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.4526
2,000:查看
参考库存:51062

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    50万现货SKU

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