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晶体管
BSP298 H6327参考图片

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BSP298 H6327

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库存:8,998(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
1,000
¥4.181
4181
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP298
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
500 mS
下降时间
20 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSP298H6327XUSA1 SP001058626
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIE
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
参考库存:41749
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:41754
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
1:¥877.9761
5:¥860.9131
10:¥832.4823
25:¥797.2941
50:¥786.2992
参考库存:41759
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:41764
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:361427
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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