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晶体管
BSZ15DC02KD H参考图片

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BSZ15DC02KD H

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库存:70,307(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
5,000
¥3.0623
15311.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.1 A, 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms, 97 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC, - 4.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5.5 S, 3.4 S
下降时间
1.4 ns, 4.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 3.7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.2 ns, 11.3 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns, 7.4 ns
零件号别名
BSZ15DC02KDHXTMA1 SP000961028
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
1:¥8.3733
10:¥7.1529
100:¥5.4918
500:¥4.859
4,800:¥3.4013
9,600:查看
参考库存:24087
晶体管
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
2,000:¥4.746
参考库存:156129
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥50.4884
10:¥45.6407
25:¥43.4937
100:¥37.8098
参考库存:8866
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:51213
晶体管
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5088
500:¥5.7517
参考库存:13660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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