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晶体管
IRG4BC30FD-SPBF参考图片

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IRG4BC30FD-SPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT
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库存:8,221(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
31 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
31 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549322
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.6724
参考库存:129667
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.3787
10:¥2.4069
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.72207
参考库存:304669
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥49.946
10:¥42.4202
100:¥36.8041
250:¥34.8831
500:¥31.2784
参考库存:7171
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
1,000:¥7.4919
参考库存:13473
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥26.1256
10:¥21.6734
100:¥17.8314
250:¥17.2099
参考库存:9645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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