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晶体管
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IPP60R380E6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6
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数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0625
7062.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10.6 A
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPP60R380E6XKSA1 IPP6R38E6XK SP000795310
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PRMH9Z
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH9/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:50636
STGWA30H65DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package
600:¥16.3624
1,200:¥13.8312
3,000:¥13.1419
5,400:¥12.5995
参考库存:50641
MRF8S9232NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 60W OM780-2
250:¥738.5115
参考库存:50646
AFT18S230SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
250:¥714.838
参考库存:50651
MMBF170Q-13-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
参考库存:50656

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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