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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min	20
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJN4301R
封装	Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值	20
发射极 - 基极电压 VEBO	- 10 V
高度	5.33 mm
长度	5.2 mm
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	4.19 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	240 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SCT2280KEC	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC	1:¥76.9191 10:¥69.5402 25:¥66.3084 100:¥57.5509 250:¥54.9406	参考库存:7746
IGW50N65H5FKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	1:¥31.1993 10:¥26.5098 100:¥22.9729 250:¥21.7412 500:¥19.5151	参考库存:5683
MUN2241T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN	1:¥1.695 10:¥1.10627 100:¥0.46104 1,000:¥0.31527 3,000:¥0.24634	参考库存:109050
FCX589TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power	1:¥4.0002 10:¥3.3335 100:¥2.034 1,000:¥1.5707 2,000:¥1.3334	参考库存:10487
NJVMJD45H11RLG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR	1:¥7.1416 10:¥5.989 100:¥3.842 1,000:¥3.0736 1,800:¥2.6103	参考库存:6454