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晶体管
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KSC1008YBU

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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.7 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC1008
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Bulk
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
KSC1008YBU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH1214-80M
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,623.9278
2:¥2,580.129
5:¥2,537.7992
10:¥2,496.8367
25:¥2,406.8548
参考库存:45108
DMN62D1LFDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:45113
2N4402
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
2,500:¥28.589
参考库存:45118
IPLK70R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4408
25,000:¥2.3391
参考库存:45123
NGTD15R65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50A CC15 FAST RECT
667:¥6.5766
1,000:¥5.1867
2,500:¥4.5991
10,000:¥4.4296
参考库存:45128

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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