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晶体管
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BLV57

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库存:3,031(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,289.9854
1289.9854
10
¥1,183.7202
11837.202
25
¥1,062.313
26557.825
50
¥940.9058
47045.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
27 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
2 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-161A
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
77 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥231.2093
250:¥212.1575
参考库存:57606
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥5.7856
2,000:¥4.9607
4,000:¥4.5313
10,000:¥4.1358
参考库存:57611
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.9245
200:¥65.54
500:¥61.3138
1,000:¥56.2514
参考库存:57616
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥3,652.6685
参考库存:57621
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,232.8187
参考库存:57626
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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