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晶体管
FDC5661N-F085参考图片

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FDC5661N-F085

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库存:12,683(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6498
1649.8
3,000
¥1.4012
4203.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
47 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
UltraFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDC5661N_F085
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.3 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
FDC5661N_F085
单位重量
36 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:42832
晶体管
MOSFET 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥6.7574
10:¥5.7856
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,500:¥2.7459
9,000:查看
参考库存:9909
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
1:¥945.2111
参考库存:2466
晶体管
MOSFET 8V P-CHANNEL FEMTOFET
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3221
参考库存:56658
晶体管
MOSFET
1:¥50.8726
10:¥45.9458
25:¥43.7988
100:¥38.0358
1,000:¥28.815
2,000:查看
参考库存:35580
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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