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晶体管
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FDN337N

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库存：1,146,768(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89157
2674.71
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN337N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
FDN337N_NL
单位重量
36 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD90N06S4L03ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
2,500:¥6.1359
5,000:查看
参考库存:16020
IRFI630GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥17.8314
10:¥14.8256
100:¥11.526
参考库存:5412
CSD19531Q5AT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:38939
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
1:¥9.0626
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9946
2,000:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:15196
FDS4435BZ-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V P-Chan PowerTrench
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
2,500:¥3.0058
10,000:查看
参考库存:7983

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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