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晶体管
ZXTN2007ZTA参考图片

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ZXTN2007ZTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V NPN Low Sat
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库存:23,386(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN2007
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
6 A
Pd-功率耗散
2100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 650A
1:¥867.1394
5:¥851.229
10:¥812.8881
25:¥785.8472
参考库存:3170
晶体管
MOSFET N-channel 80 V, 4.2 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
1,000:¥7.0286
参考库存:8157
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
2,500:¥8.3733
参考库存:15659
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥147.6119
10:¥134.1649
25:¥124.0966
50:¥117.3392
参考库存:3346
晶体管
MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.3391
参考库存:3203
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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