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晶体管
BC848C-7-F参考图片

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BC848C-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
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数量单价合计
1
¥1.3786
1.3786
10
¥1.2882
12.882
100
¥0.45313
45.313
1,000
¥0.30736
307.36
3,000
¥0.23052
691.56
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
200 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC848C
直流电流增益 hFE 最大值
800 at 2 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
420
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5004
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,157.5946
2:¥1,134.8477
5:¥1,097.0492
10:¥1,077.2968
参考库存:48969
TK40E10K3,S1X(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 40A 100V 147W 4000pF 0.015
1:¥14.7578
10:¥11.8311
100:¥9.5259
500:¥8.2942
参考库存:48974
BC857SH6327XT
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:48979
2N6383
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥493.2337
2:¥484.1711
5:¥478.7132
10:¥464.1927
参考库存:48984
RJK6014DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥28.0466
10:¥24.973
25:¥22.5096
50:¥21.5152
参考库存:48989

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    50万现货SKU

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