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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	6 A
Rds On-漏源导通电阻	60 mOhms
Qg-栅极电荷	18 nC
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	60 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Tube
系列	VND7NV04
晶体管类型	1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	9 S
下降时间	350 ns, 3.6 us
湿度敏感性	Yes
产品类型	MOSFET
上升时间	470 ns, 4.6 us
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	500 ns, 5.4 us
典型接通延迟时间	100 ns, 0.75 us
单位重量	4 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSM070NB04CR RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 75A Single N-Chan Pwr MOSFET	1:¥8.3733 10:¥7.3789 100:¥5.6613 500:¥4.1923 2,500:¥2.9606 5,000:查看	参考库存:50635
FF900R12IP4V	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥4,307.0402 5:¥4,047.4679	参考库存:7223
2SC5729T106Q	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN	1:¥2.6894 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 3,000:¥0.71416	参考库存:50642
R5011ANX	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA	1:¥12.3735 10:¥10.5316 100:¥8.0682 500:¥7.1303 1,000:¥5.6274	参考库存:50647
2N6377	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥690.4865	参考库存:50652