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晶体管
IGW08T120参考图片

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IGW08T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A
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数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
500
¥15.142
7571
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW08T120FKSA1 IGW8T12XK SP000013937
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP PNP TRANSISTOR
1:¥2.3052
10:¥1.5368
100:¥0.64523
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:82083
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
500:¥19.21
参考库存:2575
晶体管
MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
4,500:¥1.6046
9,000:查看
参考库存:19582
晶体管
MOSFET 250V 28A N-CH UNIFET
1:¥17.515
10:¥14.9047
100:¥11.9102
500:¥10.3734
参考库存:4804
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.6895
10:¥3.4465
100:¥2.1696
500:¥1.7628
3,000:¥1.3899
9,000:查看
参考库存:38746
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    4小时快速发货

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