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晶体管
IGW08T120参考图片

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IGW08T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A
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数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
500
¥15.142
7571
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW08T120FKSA1 IGW8T12XK SP000013937
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥4.3844
10:¥2.147
100:¥1.4803
500:¥1.2091
3,000:¥0.76049
9,000:查看
参考库存:18677
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-SATURATION VOLTAGE
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.4069
700:¥1.8645
2,100:¥1.5933
参考库存:15554
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -25V -500mA BULK HFE/300
1:¥3.9211
10:¥3.3561
100:¥2.1131
1,000:¥1.582
2,500:¥1.356
参考库存:31411
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 80V 65W NPN
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:15323
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥3.2318
10:¥2.3504
100:¥1.356
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.84524
参考库存:16145
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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