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晶体管
TK3R1A04PL,S4X参考图片

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TK3R1A04PL,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
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数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.5597
3779.85
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
82 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63.4 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
83 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMC8200
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:17025
FDD86102
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
2,500:¥4.8364
参考库存:30742
IRF1405PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
参考库存:19159
IRFH7921TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 9.3nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:167826
FDB28N30TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 300V N-Channel
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
800:¥7.4806
2,400:¥7.3789
参考库存:13058

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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