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晶体管
BFN 27 E6327参考图片

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BFN 27 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
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库存:21,580(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.9888
19.888
100
¥0.82942
82.942
1,000
¥0.56839
568.39
3,000
¥0.44522
1335.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
500 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BFN27
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
200 mA
Pd-功率耗散
360 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFN27E6327HTSA1 BFN27E6327XT SP000014782
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥512.6019
参考库存:42708
晶体管
MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER
2,500:¥5.4353
5,000:¥5.2432
10,000:¥5.0285
参考库存:42713
晶体管
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:42718
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥3,941.1236
参考库存:42723
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:42728
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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