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晶体管
NGTB45N60S1WG参考图片

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NGTB45N60S1WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FSII 45A 600V Welding
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库存:4,985(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.8314
1783.14
250
¥16.9048
4226.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
45 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥2.0566
参考库存:17434
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:72606
晶体管
达林顿晶体管 DARLINGTON TRAN
1:¥6.3054
10:¥5.4014
100:¥4.1471
500:¥3.6612
参考库存:19493
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:62055
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
参考库存:26557
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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