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晶体管
IPB180P04P4-03参考图片

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IPB180P04P4-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
  • 数据手册下载
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库存:30,787(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.6787
1467.87
500
¥12.8368
6418.4
1,000
¥10.5994
10599.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
190 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
81 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
48 ns
零件号别名
IPB180P04P403ATMA1 IPB18P4P43XT SP000840202
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 7.6 mo FET
1:¥10.2943
10:¥8.8366
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
1,500:¥4.7008
参考库存:28948
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4523
参考库存:11200
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:3482
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:37624
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
参考库存:19026
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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