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产品分类

晶体管
IKW25N120H3FKSA1参考图片

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IKW25N120H3FKSA1

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库存:3,420(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120H3 IKW25N12H3XK SP000674418
单位重量
5.420 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
1:¥7.2998
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
2,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:11875
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥46.1831
10:¥39.2675
100:¥34.0356
250:¥32.2728
参考库存:6052
晶体管
MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
1:¥2.8476
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:90184
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥281.7768
5:¥278.8501
10:¥259.8774
25:¥248.2723
参考库存:4231
晶体管
MOSFET T6 40V SL DPAK
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:15318
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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