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晶体管
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SPP80P06P H

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库存：7,630(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.5944
23.5944
10
¥20.0575
200.575
100
¥17.3681
1736.81
250
¥16.5206
4130.15
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
340 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
SPP80P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
SP000441774 SPP80P06PHXKSA1 SPP8P6PHXK
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA125TCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 200K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:47739
6MS24017E33W32859NOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 STACKS IPM
1:¥162,519.3685
参考库存:47744
PSMNR58-30YLHX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS
1,500:¥7.91
3,000:¥7.3676
6,000:¥7.0964
10,500:¥6.8252
参考库存:47749
DMN30H4D0L-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
10,000:¥1.2656
参考库存:47754
IRFZ24STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET MOSFET N-Channel 60V
800:¥10.8367
1,600:¥8.9157
参考库存:47759

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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