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晶体管
NTZD3154NT5G参考图片

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NTZD3154NT5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
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库存:83,563(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1809
21.809
100
¥0.9379
93.79
1,000
¥0.72207
722.07
8,000
¥0.48364
3869.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
570 mA
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms, 550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC, 1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTZD3154N
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1 S, 1 S
下降时间
8 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 4 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥2.2148
参考库存:42563
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥85.9026
参考库存:42568
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:42573
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:42578
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥16.0573
参考库存:42583
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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