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晶体管
IKB30N65EH5ATMA1参考图片

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IKB30N65EH5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 30 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
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库存:9,392(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.5043
29.5043
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.7412
2174.12
250
¥20.6677
5166.925
1,000
¥15.594
15594
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
Pd-功率耗散
188 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
650V TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
55 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB30N65EH5 SP001502648
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
1:¥59.6301
10:¥53.8671
25:¥51.4037
100:¥44.6463
参考库存:3357
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V 1A Complementary Med power transistor
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:31459
晶体管
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
参考库存:19036
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:17723
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥12.1362
10:¥9.9892
100:¥7.684
2,500:¥7.684
参考库存:14725
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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