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晶体管
FDG6332C-F085P参考图片

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FDG6332C-F085P

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V
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库存:27,446(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6668
26.668
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.07576
3227.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
0.7 A, - 0.6 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms, 420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.6 V, - 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC, 2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.8 S, 1.8 S
下降时间
1.5 ns, 1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns, 14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns, 6 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5.5 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SSP SOT563 DUAL 2.2/2.2K
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:45227
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
1,500:¥1.7402
参考库存:28454
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
1:¥3.3787
10:¥2.6103
100:¥1.4125
1,000:¥1.05994
3,000:¥0.91417
参考库存:34234
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28461
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.20792
参考库存:28466
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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