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晶体管
FZ400R12KE3参考图片

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FZ400R12KE3

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库存:5,635(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥867.1394
867.1394
5
¥851.229
4256.145
10
¥812.8881
8128.881
25
¥785.915
19647.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
650 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ400R12KE3HOSA1 SP000100737
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 26 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-LL package
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
参考库存:7497
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
5,000:¥5.6274
10,000:查看
参考库存:7204
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 198A 3pin(2+Tab)
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2433
800:¥6.0003
参考库存:29791
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:13706
晶体管
MOSFET BUK7E3R5-60E/I2PAK/STANDARD MA
1:¥17.063
10:¥14.4414
100:¥11.6051
500:¥10.1474
参考库存:31573
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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