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晶体管
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STGW35HF60WD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT
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库存：6,867(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.8885
29.8885
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.905
5226.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW35HF60WD
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
0.1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7864ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
3,000:¥16.7466
参考库存:42839
RRS075P03TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET ALTERNATE RRH075P03TTB1
2,500:¥3.7064
10,000:¥3.5708
25,000:¥3.4691
参考库存:42844
SUD50N02-06P-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3
暂无价格
参考库存:42849
DCX56-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W 80Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:42854
SIHS90N65E-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs Super-247
500:¥113.4181
参考库存:42859

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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