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射频晶体管
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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2729GN-150
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
5:¥2,767.1666
参考库存:35600
MRF652S
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:1511
MRF1K50N-TF1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,502.107
5:¥10,423.8884
参考库存:1473
A2V07H400-04NR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥744.1163
参考库存:35609
A3T21H455W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥893.6492
参考库存:35614

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    50万现货SKU

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