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射频晶体管
MRF8P8300HSR6参考图片

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MRF8P8300HSR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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库存:38,766(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,073.6808
161052.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
20.9 dB
输出功率
96 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.79 GHz to 0.82 GHz
系列
MRF8P8300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935322029128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:12680
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
1:¥12.6786
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.3958
参考库存:7997
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
150:¥892.8808
参考库存:40673
CEL
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
1:¥1,056.55
参考库存:40678
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
参考库存:89394
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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