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射频晶体管
MRF1K50N-TF4参考图片

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MRF1K50N-TF4

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
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5
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49715.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
23 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935345445598
单位重量
1 kg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD2932W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
1:¥1,170.8156
5:¥1,147.7636
10:¥1,094.2807
25:¥1,071.3078
参考库存:40151
CG2H80120D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
暂无价格
参考库存:40156
QPQ1030EVB
Qorvo
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射频开发工具 QPQ1030 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:40161
MRF323
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
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1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:40166
CGHV35060MP
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt
250:¥1,071.9971
参考库存:40171

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