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射频晶体管
BFP 720 H6327参考图片

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BFP 720 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3448
33.448
100
¥2.0453
204.53
1,000
¥1.582
1582
3,000
¥1.356
4068
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP720
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
25 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP720H6327XTSA1 BFP72H6327XT SP000750410
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ITC1100
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,308.6448
参考库存:39166
MRFE6VP61K25HR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,342.553
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
150:¥1,220.9085
参考库存:6637
0405SC-2200M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥17,315.668
参考库存:39173
MAPRST1030-1KS
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB
20:¥3,610.9376
参考库存:39178
MRF6V3090NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4
1:¥488.2391
5:¥474.0237
10:¥463.8085
25:¥444.3612
500:¥382.1999
参考库存:39183

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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