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射频晶体管

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参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN
增益	14.5 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-栅源极击穿电压	- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流	10.4 A
输出功率	75 W
最大漏极/栅极电压	50 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 107 C
Pd-功率耗散	52 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
应用	S Band Radar and LTE base stations
配置	Single
工作频率	3.5 GHz
工作温度范围	- 40 C to + 107 C
商标	Wolfspeed / Cree
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压	- 3 V

商品其它信息

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