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射频晶体管
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MRF085HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
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库存：5,925(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,121.5589
1121.5589
5
¥1,099.7386
5498.693
10
¥1,063.4656
10634.656
25
¥1,018.4351
25460.8775
50
¥1,004.457
50222.85
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
210 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
25.6 dB
输出功率
85 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-650H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 1215 MHz
系列
MRF085H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
235 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935351494178
单位重量
0 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF426
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥293.5288
10:¥243.2777
25:¥236.509
50:¥229.7516
100:¥175.1161
参考库存:1706
MHT1108NT1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥89.9819
10:¥82.7612
25:¥79.3034
100:¥69.8453
1,000:¥57.0198
参考库存:35797
SD2932BW
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
90:¥1,071.3078
参考库存:35802
NESG7030M04-EVDB-A
Renesas Electronics
射频晶体管
射频开发工具 NF .75dB Gain 14dB Eval Brd Dual Band
暂无价格
参考库存:35807
RFSA3043PCK-410
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 5MHz to 3000MHz PCBA with 5-piece sample bag
暂无价格
参考库存:35812

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