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射频晶体管
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MRF3866

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库存：5,536(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.8996
647.49
50
¥23.052
1152.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
400 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
工作频率
200 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD57060
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp
1:¥636.2352
5:¥624.551
10:¥596.5044
25:¥576.6051
参考库存:1335
PXAC201602FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:35456
AFT18H357-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V
1:¥1,321.1056
5:¥1,291.6013
10:¥1,265.1706
25:¥1,246.503
150:¥1,174.2734
参考库存:35461
BFP 540 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:35637
AFV141KHSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,779.1494
参考库存:35468

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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