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射频晶体管
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MRF3866

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库存：5,536(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.8996
647.49
50
¥23.052
1152.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
400 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
工作频率
200 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STAC9200
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
1:¥1,281.1488
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:40490
TCS800
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,791.3582
参考库存:40495
MRF150
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
1:¥376.742
10:¥352.2323
参考库存:8766
MRF151GB
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:40502
AFT09MS007NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
参考库存:16183

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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