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射频晶体管
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AFT09MS007NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥27.9675
279.675
25
¥25.4363
635.9075
100
¥22.8938
2289.38
1,000
¥17.1308
17130.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
400 mV, 30 V
增益
15.2 dB
输出功率
7.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
870 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
114 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935318254515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AGR09085EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 105Watt Gain 18dB
1:¥620.483
5:¥569.3844
10:¥510.986
25:¥452.5876
参考库存:35358
SD2931-15W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥494.3863
5:¥483.3236
10:¥464.4187
25:¥449.4349
参考库存:35363
BFP 740F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:79789
2SK3476(TE12L,Q)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥45.7989
10:¥36.8041
100:¥33.5836
250:¥30.2727
1,000:¥22.8938
参考库存:5291
D1094UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥495.1547
100:¥489.4708
参考库存:35372

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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