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射频晶体管
AFT09MS007NT1参考图片

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AFT09MS007NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥27.9675
279.675
25
¥25.4363
635.9075
100
¥22.8938
2289.38
1,000
¥17.1308
17130.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
400 mV, 30 V
增益
15.2 dB
输出功率
7.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
870 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
114 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935318254515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing
6,000:¥0.30736
9,000:¥0.26103
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.20001
参考库存:35747
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
1:¥300.4444
5:¥285.2346
10:¥280.3869
25:¥254.1144
500:¥216.7679
参考库存:35752
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:20483
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
参考库存:35759
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
1:¥725.8329
5:¥702.3967
10:¥688.3282
25:¥644.9927
100:¥622.7882
250:¥599.4311
参考库存:2875
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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