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射频晶体管

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AGR18090EF

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库存:40,509(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥751.111
751.111
5
¥689.2548
3446.274
10
¥618.562
6185.62
25
¥547.8692
13696.73
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
50:¥4,403.7004
参考库存:37068
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:37073
射频晶体管
射频开发工具 RFDA4005 EVB Sample Kit
暂无价格
参考库存:37078
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2OW-12.5V-1GHz PP
1:¥1,009.3725
10:¥891.2649
25:¥790.9887
50:¥749.6533
参考库存:37083
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥640.5405
参考库存:37088
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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