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射频晶体管
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MMBTH81

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库存:46,256(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MMBTH81
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
0.05 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 5 mA at 10 V
高度
0.93 mm
长度
2.92 mm
工作频率
600 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
600 MHz (Min)
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
MMBTH81_NL
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
1:¥4,191.7802
50:¥4,191.7802
参考库存:4211
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:18923
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
250:¥747.495
参考库存:38104
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
100:¥243.3568
250:¥239.1984
参考库存:38109
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,866.1385
参考库存:38114
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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