| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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50:¥823.8039
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参考库存:36814
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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50:¥329.3385
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参考库存:36809
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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250:¥597.1259
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参考库存:36774
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥738.2064
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参考库存:36635
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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1:¥848.0085
50:¥848.0085
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参考库存:1655
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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250:¥2,955.8088
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参考库存:36509
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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50:¥1,207.4615
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参考库存:36474
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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50:¥2,955.8088
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参考库存:36424
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥4,926.3706
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参考库存:36155
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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500:¥768.40
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参考库存:48795
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt
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250:¥1,071.9971
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参考库存:47914
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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250:¥2,165.8145
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参考库存:47877
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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250:¥823.8039
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参考库存:47463
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,281.0019
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参考库存:44189
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MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
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1:¥266.4088
100:¥256.1032
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参考库存:9860
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
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1:¥6,627.45
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参考库存:4099
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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1:¥1,281.0019
50:¥1,281.0019
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参考库存:25545
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt
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暂无价格
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参考库存:23580
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MOSFET 900V 280mOhms G3 SiC MOSFET
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1:¥30.6569
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参考库存:5169
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MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
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1:¥55.6299
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参考库存:4395
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