| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1008GH/CFM2///REEL 13
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50:¥1,758.8676
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参考库存:41405
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W
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250:¥774.6263
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参考库存:41203
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,073.6726
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参考库存:41093
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS
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50:¥4,410.9211
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参考库存:40952
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥782.0052
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参考库存:40947
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
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250:¥700.0124
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参考库存:40935
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500:¥2,127.3945
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参考库存:40565
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥295.2238
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参考库存:40208
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H300-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥718.9173
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参考库存:40104
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:40039
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,160.3631
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参考库存:39999
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,543.3314
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参考库存:39984
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥1,983.0144
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参考库存:39922
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,475.6331
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参考库存:39907
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射频放大器 A2G22S251-01S/CFM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥995.7673
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参考库存:39807
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
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250:¥811.9728
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参考库存:39797
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
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150:¥732.127
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参考库存:39792
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
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250:¥1,072.3022
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参考库存:39777
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312GS/CFM4///REEL 13
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50:¥4,089.0406
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参考库存:39602
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,170.0472
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参考库存:39432
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