| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325 5:¥612.1888 10:¥591.9731 25:¥566.921 250:¥508.3757
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参考库存:59114
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射频放大器 2300-2700 MHz used for Band 7
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1:¥1,641.9126 5:¥1,553.3206 10:¥1,531.037 25:¥1,420.0823
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参考库存:59099
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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500:¥487.3238
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参考库存:59089
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射频放大器 A2I25H060GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥461.9666
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参考库存:59029
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N-3STG/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:59009
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500:¥1,609.9562
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参考库存:58944
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC10275N/FM14F///REEL 13
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1:¥1,780.3828 5:¥1,737.5784 10:¥1,694.4011 25:¥1,670.6598 50:¥1,670.6598
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参考库存:58909
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥1,154.6792 5:¥1,128.9378 10:¥1,105.8067 25:¥1,089.5121 150:¥1,026.3564
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参考库存:58884
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:58767
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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250:¥864.9133
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参考库存:58710
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥693.4019
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参考库存:58535
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射频放大器 HV7IC 2100MHZ TO270WB14G
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500:¥507.37
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参考库存:58450
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G
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1:¥191.4898 5:¥183.0374 10:¥176.6529 25:¥154.1433 500:¥132.9332
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参考库存:58435
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,019.9719
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参考库存:58395
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥507.5282
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参考库存:58088
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射频放大器 A2I20H060N/FM15F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥452.2034
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参考库存:58006
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500:¥513.7545
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参考库存:57971
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RF片上系统 - SoC MKW41Z512CAT4/WLCSP75///REEL 13
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1:¥52.2512 10:¥47.1775 25:¥42.4202 100:¥39.1093 5,000:¥27.4364
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参考库存:57956
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
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150:¥2,665.8847
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参考库存:57946
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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500:¥487.3238
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参考库存:57891
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