| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥408.8679
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参考库存:38245
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
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50:¥329.3385
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参考库存:38210
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1:¥203.852
500:¥203.852
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参考库存:58802
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1:¥310.6596
250:¥310.6596
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参考库存:57656
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥1,281.0019
50:¥1,281.0019
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参考库存:57334
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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250:¥1,018.13
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参考库存:55199
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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250:¥2,165.8145
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参考库存:54635
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥640.4614
50:¥640.4614
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参考库存:53589
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥408.8679
250:¥408.8679
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参考库存:51707
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1:¥192.9475
500:¥192.9475
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参考库存:50656
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
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1:¥6,627.45
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参考库存:5998
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
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1:¥2,111.2581
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参考库存:5926
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 50V 0.5-2.7GHz 5W
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1:¥346.7744
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参考库存:5805
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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1:¥3,146.7562
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参考库存:5364
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
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1:¥1,206.8513
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参考库存:5277
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 5.5-8.5GHz, 25 Watt
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1:¥3,404.9386
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参考库存:5345
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
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1:¥2,673.4896
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参考库存:4755
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
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参考库存:4746
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET
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1:¥348.4694
50:¥348.4694
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参考库存:4898
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
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1:¥775.9258
250:¥775.9258
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参考库存:4673
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