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晶体管
CDM22010-650参考图片

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CDM22010-650

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 650Vds 30Vgs 10A 40A 8.0nC 0.88Ohm
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数量单价合计
1,200
¥6.6218
7946.16
2,800
¥6.1585
17243.8
5,200
¥5.9438
30907.76
10,000
¥5.7065
57065
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
CDM22010
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Central Semiconductor
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
零件号别名
CDM22010-650 PBFREE
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C442NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥3.2205
10,000:¥3.1075
25,000:¥3.0058
参考库存:42306
STF8NK100Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1:¥29.9676
10:¥25.4363
100:¥22.0576
250:¥20.905
参考库存:12186
AUIRGF65A40D0
Infineon / IR
晶体管
MOSFET DISCRETES
400:¥54.5564
800:¥49.72
1,200:¥43.2564
参考库存:42313
2N1700
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥293.7548
250:¥268.4767
参考库存:42318
ZTX955
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
4,000:¥4.0906
参考库存:42323

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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