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晶体管
TSM60NB190CF C0G参考图片

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TSM60NB190CF C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ, 600V, 18A
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库存:41,842(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥19.9784
199.784
100
¥15.9782
1597.82
500
¥12.4526
6226.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
59.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V N-Channel QFET
1:¥40.567
10:¥34.4989
100:¥29.8885
250:¥28.3517
参考库存:6369
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
1:¥417.7836
5:¥408.4046
10:¥392.4942
25:¥379.8156
参考库存:4061
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥126.2436
10:¥114.7967
25:¥106.1974
50:¥100.4344
参考库存:4903
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:228610
晶体管
MOSFET 600V, 47A, SuperFET
1:¥85.9026
10:¥78.987
25:¥75.6874
100:¥66.6926
参考库存:5322
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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