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APTLGL325A1208G

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
420 A
Pd-功率耗散
1.5 kW
封装 / 箱体
LP8
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2022UFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
10,000:¥1.00683
参考库存:48293
BC847QASX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA NPN/NPN gen purpose trans
暂无价格
参考库存:48298
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:407961
DMN601DWKQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:21963
NVMFS5C646NLWFAFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2715
500:¥5.537
1,500:¥3.8759
9,000:查看
参考库存:142965

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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