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晶体管
HN1B04FE-Y,LF参考图片

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HN1B04FE-Y,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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库存:56,090(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.5707
15.707
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
4,000
¥0.33787
1351.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz, 80 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
HN1B04
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
1:¥3.616
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
3,000:¥1.4125
参考库存:22787
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A
1:¥6.1472
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
4,000:¥2.2035
参考库存:91039
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.6838
10:¥2.8137
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
9,000:¥0.92208
参考库存:17111
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K
1:¥3.4578
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:47987
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:142193
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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