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晶体管
APT50GS60BRDQ2G参考图片

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APT50GS60BRDQ2G

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
93 A
Pd-功率耗散
415 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
93 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
93 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt HS
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM9409CS RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V P channel Mosfet
1:¥5.989
10:¥5.2206
100:¥4.0228
500:¥2.9832
2,500:¥2.1018
5,000:查看
参考库存:51469
DRA5124T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:51474
IRLR014TR
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF
2,000:¥10.3734
4,000:¥9.9892
参考库存:51479
IGW03N120H2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
1:¥23.278
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5996
参考库存:51484
RJH60M0DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥25.8996
10:¥23.052
25:¥20.8259
50:¥19.8993
参考库存:51489

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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