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晶体管
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IRFPE50PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 800V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.3517
283.517
100
¥25.9674
2596.74
500
¥21.2101
10605.05
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
7.8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
200 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
IRFPE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5.6 S
下降时间
39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK2P90E,RQS
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
1:¥7.2998
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
2,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:11875
IEWS20R5135IPBXKLA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥46.1831
10:¥39.2675
100:¥34.0356
250:¥32.2728
参考库存:6052
BSS84WQ-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
1:¥2.8476
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:90184
A1P25S12M3
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥281.7768
5:¥278.8501
10:¥259.8774
25:¥248.2723
参考库存:4231
NVD5C446NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V SL DPAK
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:15318

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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