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晶体管
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FGH40N60SMDF

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数量单价合计
1
¥33.5836
33.5836
10
¥28.589
285.89
100
¥24.747
2474.7
250
¥23.5153
5878.825
500
¥21.0519
10525.95
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH40N60SMDF
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF2010NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:51022
DXTP03200BP5-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
5,000:¥2.4634
参考库存:133317
STU5N70M6-S
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
3,000:¥3.8872
参考库存:51029
DMN3270UVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
10,000:¥0.88366
参考库存:51034
AGR26125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:51039

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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