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晶体管
ZTX601BSTZ参考图片

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ZTX601BSTZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN Darlington
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库存:12,359(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6613
56.613
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.842
1921
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.01 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX601
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
5000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000 at 50 mA at 10 V, 10000 at 500 mA at 10 V, 5000 at 1 A at 10 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:12164
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
800:¥7.9891
4,800:¥7.9891
9,600:¥7.6388
参考库存:27891
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:27896
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR NPN SPCL
3,000:¥0.37629
12,000:¥0.37629
24,000:¥0.35369
45,000:¥0.32996
参考库存:124676
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
参考库存:27903
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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